Skip to content
Россия - Россия
Search

SIMS 4550

Квадрупольный ВИМС – профилирование легирующих примесей по глубине и тонкослойный анализ полупроводников
CAMECA SIMS 4550 предоставляет расширенные возможности для мелкого профилирования по глубине, измерения минорных элементов и измерения состава тонких слоев в Si, диэлектрике с высокой проницаемостью, SiGe и других составных материалах, таких как III-V для оптических устройств.

  • Обзор продукта +


    Высокое разрешение по глубине и высокая скорость анализа
    При постоянно уменьшаемых размерах устройства размеры профилей и толщина слоя имплантированных ионов современных полупроводников часто находятся в диапазоне 1–10 нм. Прибор SIMS 4550 был оптимизирован для решения задач в данных областях, обеспечивая первичный пучок с высокой плотностью кислорода и цезия с энергией удара, программируемой в диапазоне от 5 кВ до менее 150 эВ.

    Гибкость
    SIMS 4550 компании CAMECA – прибор динамической ВИМС, обеспечивающий полную гибкость в условиях распыления (угол соударения, энергия, виды). Благодаря специальным настройкам компенсации заряда (электронная пушка, лазер) во время распыления образцов можно легко анализировать электроизолирующие материалы. SIMS 4550 измеряет толщину слоя, выравнивание, резкость, целостность, однородность и стехиометрию. Держатели образцов могут вмещать различные образцы: от небольших фрагментов диаметром в несколько мм² до 100 мм.

    Высокая точность и автоматизация
    Современная оптика квадрупольного анализатора и превосходное отношение пик/фон являются ключевыми факторами для низких пределов обнаружения для микроэлементов. SIMS 4550 обеспечивает великолепную чувствительность для H, C, N и O благодаря усовершенствованной сверхвысоковакуумной конструкции с давлением основной камеры в диапазоне E-10 мбар (E-8 Па). Сверхстабильные источники ионов и электроника обеспечивают высокую точность и воспроизводимость измерений до < 0,2 % ОСО.
    Влияние человеческого фактора на точность учтено за счет простого в использовании программного обеспечения, предварительно заданных режимов, дистанционного управления и поиска и устранения неисправностей. Все настройки прибора для каждого измерения хранятся в базе данных. Таким образом, для повторных измерений требуется всего лишь несколько щелчков мыши. Дополнительные функции автоматизации

  • Скачать документацию +

  • Научные публикации +


    Ниже приводится подборка публикаций Quadrupole SIMS
    Imaging and hydrogen analysis by SIMS in zirconium alloy cladding: a dual ion beam approach. N. Mine (Н. Майн), S. Portier (С. Портье) и M. Martin (М. Мартин). Surface and Interface Analysis. Volume 46, Issue S1, pages 249–252, November 2014

    Shallow As dose measurements of 300 mm patterned wafers with Secondary Ion Mass Spectrometry and Low energy Electron induced X-ray Emission Spectroscopy. H. U. Ehrke (Х. У. Эрке), N. Noible (Н. Ноубл), M. P. Moret (М. П. Море), F. Horreard (Ф. Хорреард), J. Choi (Дж. Чой), C. Hombourger (К. Хомбургер), V. Paret (В. Парет), R. Benbalagh (Р. Бенбалаг), N. Morel (Н. Морель), M. Schuhmacher (М. Шухмахер), J. Vac (Дж. Вак). Sci. Technolo. B 28 (1), 1071-1023, Jan/Feb 2010

    Thickness dependence of hole mobility in ultrathin SiGe-channel p-MOSFETs.     C. N. Chleirigh (К. Н. Члейри), N. D. Theodore (Н. Д. Теодор), H. Fukuyama (Х. Фукуяма), S. Mure (С. Муре), H.-U. Ehrke (Х.-У. Эрке), A. Domenicucci (А. Доменикуччи), J. L. Hoyt (Дж. Л. Хойт), IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 55, Issue 10, pp 2687-2694, October 2008

    SIMS analysis of implanted and RTP annealed wafers for sub-100nm technology. H.-U. Ehrke (Х.-У. Эрке), A. Sears (А. Сирс), W. Lerch (У. Лерч), S. Paul (С. Пол), G. Roters (Г. Ротерс), D. F. Downey (Д. Ф. Дауни), E. A. Arevalo (Е. А. Аревало). Paper at USJ 2003 published in JVST-B 22(1) Jan-Feb 2004

    Quantification of Ge and B in SiGe using secondary ion mass spectrometry. H.-U. Ehrke (Х.-У. Эрке), H. Maul (Х. Маул), Materials Science in Semiconductor Processing, Vol. 8, Issues 1-3, 2005, 111-114

    Charge compensation using optical conductivity enhancement and simple analytical protocols for SIMS of resitive Si1-xGex alloy layers. M. G. Dowsett (М. Г. Доусетт) и др. Applied surface science, 9299 (2002) 1-4

    Establishing an accurate depth-scale calibration in the top few nanometers of an ultrashallow implant profile.     M. G. Dowsett (М. Г. Доусетт) и др., Phys. Rev. B 65, 113412 (2002)