Skip to content

IMS Wf и SC Ultra

Высокопроизводительные приборы ВИМС со сверхнизкой энергией для исследований сложных полупроводниковых устройств
Приборы IMS Wf и SC Ultra были специально разработаны для удовлетворения растущих потребностей в измерениях методом динамической ВИМС для разработок и производства сложных полупроводниковых устройств. Обладая широким спектром ударной энергии (от 100 эВ до 10 кэВ) без малейшей потери в отношении разрешения по массе и плотности первичного пучка, они обеспечивают непревзойденную аналитическую производительность при высокой скорости анализа для самых сложных применений: сверхмелкая и высокоэнергетическая имплантация, сверхтонкие слои азотированных оксидов, металлические затворы с высокой диэлектрической проницаемостью, легированные SiGe слои, структуры Si:C:P, фотоэлектрические и светодиодные устройства, графен и т. д.
  • Обзор продукта +


    От стандартного до сверхмелкого профилирования по глубине
    Первым обязательным условием для анализа сложных полупроводниковых устройств является оптимизация аналитических условий ВИМС для сверхмелкого профилирования по глубине без отказа от применения для стандартного профилирования по глубине. С этой целью компания CAMECA разработала уникальную конструкцию прибора ВИМС, способную распылять образцы с большим диапазоном ударной энергии: от высокой энергии (диапазон кэВ) для толстослойных структур до сверхнизкой энергии (≤ 150 эВ) для сверхтонких структур. Эта гибкость в выборе энергии удара доступна для различных хорошо контролируемых условий распыления (виды, угол падения и т. д.).

    IMS Wf и SC Ultra компании CAMECA являются единственными приборами ВИМС, дающими такие возможности Сверх Низкой Ударной Энергии (EXLIE) без потери высокого разрешения по массам и высокой трансмиссии.

    Высокий уровень автоматизации
    С развитием технологии ВИМС пользователи хотят уменьшить участие человека, необходимое для достижения высокой воспроизводимости и высокоточных измерений. Тенденция четко направлена на автоматизированный анализ без участия оператора. Приборы IMS Wf и SC Ultra компании CAMECA решают эту задачу благодаря компьютерной автоматизации, обеспечивающей полный контроль над всеми аналитическими параметрами (режим анализа, настройка прибора и т. д.).

    Система шлюзовых камер, предметный столик и камера анализа были оптимизированы для размещения пластин до 300 мм (модель IMS Wf) и для загрузки большого количества образцов в одной партии – до 100 в модели IMS Wf, что также предоставляет полностью моторизованную передачу между шлюзовой камерой и камерой анализа.

    Благодаря высокому уровню автоматизации приборы IMS Wf и SC Ultra выполняют быстрое профилирование по глубине с увеличенной скоростью анализа и первоклассной стабильностью измерений, гарантируя беспрецедентную производительность прибора ВИМС.
  • View Webinars +

    • Dynamic SIMS for Semiconductors

      четверг, сентября 16, 2021

      A review of a broad array of IC applications with Dynamic SIMS, from deep to ultra-shallow implant depth profiling in Si-based semiconductors to compositional analysis of thin multilayers in patterned wafer pads, optoelectronics, 2D and non-planar 3D structures. Speaker: Pawel Michałowski, expert-user of CAMECA SC Ultra SIMS at Łukasiewicz Research Network – Institute of Microelectronics and Photonics, Poland
      Duration : 20 minutes
  • Узнать возможности IMS Wf и SC Ultra +

  • Документация +

  • Научные публикации +


    Ниже представлена подборка исследовательских статей пользователей CAMECA IMS Wf и SC Ultra.

    Вы также можете отправить нам любые недостающие ссылки, pdf и дополнения!
    Отправьте сообщение по адресу электронной почты cameca.info@ametek.com.

    Oxygen out-diffusion and compositional changes in zinc oxide during ytterbium ions bombardment.
    Paweł Piotr Michałowski (Павел Петр Михайловски), Jarosław Gaca (Ярослав Гака), Marek Wójcik (Марек Войчик), Andrzej Turos (Анджей Турос). Nanotechnology 29, 425710 (2018)
    http://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6528/aad881

    Thermally activated double-carrier transport in epitaxial graphene on vanadium-compensated 6H-SiC as revealed by Hall effect measurements. Tymoteusz Ciuk (Тимотеуш Чук), Andrzej Kozlowski (Анджей Козловски), Paweł Piotr Michałowski (Павел Петр Михайловски), Wawrzyniec Kaszub (Вавжинец Кашуб), Michal Kozubal (Михал Козубал), Zbigniew Rekuc (Збигнев Рекук), Jaroslaw Podgorski (Ярослав Подгорски), Beata Stanczyk (Беата Станчик), Krystyna Przyborowska (Кристина Пшиборовска), Iwona Jozwik (Ивона Йозвик), Andrzej Kowalik (Анджей Ковалик), Pawel Kaminski (Павел Камински). Carbon 139, 776-781 (2018)
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0008622318306973

    The role of hydrogen in carbon incorporation and surface roughness of MOCVD-grown thin boron nitride. Piotr A. Caban (Петр А. Кабан), Dominika Teklinska (Доминика Теклинска), Paweł P. Michałowski (Павел П. Михаловски), Jaroslaw Gaca (Ярослав Гака), Marek Wojcik (Марек Войчик), Justyna Grzonka (Юстина Грзонка), Pawel Ciepielewski (Павел Цепелевски), Malgorzata Mozdzonek (Малгожата Моздзонек), Jacek M. Baranowski (Яцек М. Барановски). Journal of Crystal Growth 498, 71-76 (2018)
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024818302756

    Oxygen-induced high diffusion rate of magnesium dopants in GaN/AlGaN based UV LED heterostructures. Paweł Piotr Michałowski (Павел Петр Михайловски), Sebastian Złotnik (Себастьян Злотник), Jakub Sitek (Якуб Ситек), Krzysztof Rosińskia (Кшиштоф Росиньский) и Mariusz Rudzińskia (Мариуш Рудзинский). Physical Chemistry Chemical Physics 20, 13890-13895 (2018)
    http://pubs.rsc.org/en/Content/ArticleLanding/2018/CP/C8CP01470A

    Self-organized multi-layered graphene–boron-doped diamond hybrid nanowalls for high-performance electron emission devices. Kamatchi Jothiramalingam Sankaran (Каматчи Йотирамалингам Шанкаран), Mateusz Ficek (Матеуш Фичек), Srinivasu Kunuku (Сринивасу Кунуку), Kalpataru Panda (Калпатару Панда), Chien-Jui Yeh (Чиен-Джуй Йе), Jeong Young Park (Чжон Янг Парк), Miroslaw Sawczak (Мирослав Савчак), Paweł Piotr Michałowski (Павел Петр Михаловски), Keh-Chyang Leou (Кех-Чьянг Лиу), Robert Bogdanowicz (Роберт Богданович), I-Nan Lin (И-Нан Лин) и Ken Haenen (Кен Хаенен). Nanoscale 10, 1345-1355 (2018)
    http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2018/nr/c7nr06774g

    Formation of a highly doped ultra-thin amorphous carbon layer by ion bombardment of Graphene
    . Paweł Piotr Michałowski (Павел Петр Михайловски), Iwona Pasternak (Ивона Пастернак), Paweł Ciepielewski (Павел Цепелевски), Francisco Guinea (Франциско Гвинея) и Włodek Strupiński (Влодек Струпиньски). Nanotechnology 29, 305302 (2018)
    http://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6528/aac307

    Contamination-free Ge-based graphene as revealed by graphene enhanced secondary ion mass spectrometry (GESIMS). Paweł Piotr Michałowski (Павел Петр Михайловски), Iwona Pasternak (Ивона Пастернак) и Włodek Strupiński (Влодек Струпиньски). Nanotechnology 29, 015702 (2018).
    http://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6528/aa98ed

    Influence of hydrogen intercalation on graphene/Ge(0 0 1)/Si(0 0 1) interface. Justyna Grzonka, Iwona Pasternak (Ивона Пастернак), Paweł Piotr Michałowski (Павел Петр Михайловски), Valery Kolkovsky (Валерий Колковски) и Włodek Strupiński (Влодек Струпиньски). Applied Surface Science 447, 582-586 (2018).
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433218309838

    Characterization of the superlattice region of a quantum cascade laser by secondary ion mass spectrometry. Paweł Piotr Michałowski (Павел Петр Михайловски), Piotr Gutowski (Петр Гутовски), Dorota Pierścińska (Дорота Перинчинска), Kamil Pierściński (Камиль Перински), Maciej Bugajski (Мацей Бугайски) и Włodek Strupińskiac (Влодек Струпиньски). Nanoscale 9, 17571-17575 (2017).
    http://pubs.rsc.org/en/Content/ArticleLanding/2017/NR/C7NR06401B

    Graphene Enhanced Secondary Ion Mass Spectrometry (GESIMS). Paweł Piotr Michałowski (Павел Петр Михайловски), Wawrzyniec Kaszub (Вавжинец Кашуб), Iwona Pasternak (Ивона Пастернак) и Włodek Strupiński (Влодек Струпиньски). Scientific Reports 7, 7479 (2017).
    https://www.nature.com/articles/s41598-017-07984-1

    Reproducibility of implanted dosage measurement with CAMECA Wf. Kian Kok Ong (Киан Кок Онг), Yun Wang (Юнь Ван) и Zhiqiang Mo (Чжицян Мо). IEEE 24th International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (2017).
    DOI: 10.1109/IPFA.2017.8060158

    Investigation of Cs+ bombardment effects in ultra-thin oxynitride gate dielectrics characterization by DSIMS. Yun Wang (Юнь Ван), Kian Kok Ong (Киан Кок Онг), Zhi Qiang Mo (Жи Цян Мо), Han Wei Teo (Хань Вэй Тео), Si Ping Zhao (Си Пинг Чжао). IEEE 24th International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (2017).
    DOI: 10.1109/IPFA.2017.8060216


    Secondary ion mass spectroscopy depth profiling of hydrogen-intercalated graphene on SiC.
    Pawel Piotr Michalowski (Павел Петр Михайловски), Wawrzyniec Kaszub (Вавжинец Кашуб), Alexandre Merkulov (Александр Меркулов) и Włodek Strupiński (Влодек Струпиньски). Appl. Phys. Lett. 109, 011904 (2016).
    http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/109/1/10.1063/1.4958144

    SIMS depth profiling and topography studies of repetitive III–V trenches under low energy oxygen ion beam sputtering. Viktoriia Gorbenko (Виктория Горбенко), Franck Bassani (Франк Бассани), Alexandre Merkulov (Александр Меркулов), Thierry Baron (Тьерри Барон), Mickael Martin (Микаэль Марти), Sylvain David (Сильвен Дэвид) м Jean-Paul Barnes (Жан-Поль Барнс). J. Vac (Дж. Вак). Sci. Technol. B 34, 03H131 (2016).
    http://dx.doi.org/10.1116/1.4944632 

    Kr implantation into heavy ion irradiated monolithic UeMo/Al systems: SIMS and SEM investigations. T. Zweifel (Т. Цвайфель), N. Valle (Н. Валле), C. Grygiel (К. Григиэль), I. Monnet (И. Моне), L. Beck (Л. Бек), W. Petry (В. Петри) (2016), Journal of Nuclear Materials, Volume 470, Pages 251-257. Doi:10.1016/j.jnucmat.2015.12.039.

    Ion beam characterizations of plasma immersion ion implants for advanced nanoelectronic applications. M. Veillerot (М. Вейеро), F. Mazen (Ф. Мазен), N. Payen (Н. Пейен), J. P. Barnes (Дж. П. Барнс), F. Pierre (Ф. Пьер) (2014), SIMS Europe 2014, September 7-9, 2014.

    Characterization of arsenic PIII implants in FinFETs by LEXES, SIMS and STEM-EDX. Kim-Anh Bui-Thi Meura (Ким-Ан Буй-Ти Меура), Frank Torregrosa (Фрэнк Торрегроса), Anne-Sophie Robbes (Энн-Софи Роббс), Seoyoun Choi (Сеоун Чой), Alexandre Merkulov (Александр Меркулов), Mona P. Moret (Мона П. Море), Julian Duchaine (Джулиан Дюшен), Naoto Horiguchi (Наото Хоригучи), Letian Li (Летиан Ли), Christoph Mitterbauer (Кристоф Миттербауэр) (2014), 20th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT), 2014. DOI: 10.1109/IIT.2014.6940011.

    Cesium/Xenon dual beam sputtering in a Cameca instrument.
    R. Pureti (Р. Пурети), B. Douhard (Б. Доухард), D. Joris (Д. Йорис), A. Merkulov (А. Меркулов) и W. Vandervorst (В. Вандерворст). Surface and Interface Analysis. Volume 46, Issue S1, pages 25–30, November 2014

    Si- useful yields measured in Si, SiC, Si3N4 and SiO2: comparison between the Strong Matter technique and SIMS. B. Kasel (Б. Касел) и T. Wirtz (Т. Вирц). Surface and Interface Analysis. Volume 46, Issue S1, pages 39–42, November 2014 

    Unravelling the secrets of Cs controlled secondary ion formation: Evidence of the dominance of site specific surface chemistry, alloying and ionic bonding. K. Wittmaack (К. Виттмаак). Surface Science Reports. Volumn 68, Issue 1, pages 108–230, 1 March 2013

    The secondary ions emission from Si under low-energy Cs bombardment in a presence of oxygen. A. Merkulov (А. Меркулов). Surface and Interface Analysis. Volume 45, Issue 1, pages 90–92, January 2013

    Application of extra-low impact energy SIMS and data reduction algorithm to USJ profiling. D. Kouzminov (Д. Кузьминов), A. Merkulov (А. Меркулов), E. Arevalo (Е. Аревало), H.-J. Grossmann (Х.-Ж. Гроссман). Surface and Interface Analysis. Volume 45, Issue 1, pages 345–347, January 2013 

    Application of extra-low impact energy SIMS and data reduction algorithm to USJ profiling. D. Kouzminov (Д. Кузьминов), A. Merkulov (А. Меркулов), E. Arevalo (Е. Аревало), H.-J. Grossmann (Х.-Ж. Гроссман). Surf. and Interface Analysis, 5 Aug 2012, DOI: 10.1002/sia.5138.

    The secondary ions emission from Si under low-energy Cs bombardment in a presence of oxygen. A. Merkulov (А. Меркулов). Surf. and Interface Analysis, 5 Aug 2012, DOI: 10.1002/sia.5132 

    Experimental studies of dose retention and activation in fin field-effect-transistor-based structures. Jay Mody (Джей Моди), Ray Duffy (Рэй Даффи), Pierre Eyben (Пьер Эйбен), Jozefien Goossens (Жозефин Гуссенс), Alain Moussa (Ален Муса), Wouter Polspoel (Вутер Полспоэль), Bart Berghmans (Барт Бергманс), M. J. H. van Dal (М. Дж. Х. ван Дал), B. J. Pawlak (Б. Дж. Павлак), M. Kaiser (М. Кайзер), R. G. R. Weemaes (Р. Г. Р. Вимес) и Wilfried Vandervorst (Уилфрид Вандерворст) (2010), Journal of Vacuum Science & Technology B, Volume 28, Issue 1. C1H5. doi: 10.1116/1.3269755.

    Sputtering behavior and evolution of depth resolution upon low energy ion irradiation of GaAs.
    M. J. P. Hopstaken (М. Дж. П. Хопстакен), M. S. Gordon (М. С. Гордон), D. Pfeiffer (Д. Пфайффер), D. K. Sadana (Д. К. Садана), T. Topuria (Т. Топурия), P. M. Rice (П. М. Райс), C. Gerl (К. Герл), M. Richter (М. Рихтер), C. Marchiori (К. Марчиори). Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. Volume 28, Issue 6, 1287, 18 November 2010

    Advanced SIMS quantification in the first few nm of B, P, and As Ultra Shallow Implants.
    A. Merkulov (А. Меркулов), P. Peres (П. Перес), J. Choi (Дж. Чой), F. Horreard (Ф. Хорреард), H-U. Ehrke (Х-У. Эрке), N. Loibl (Н. Лойбл), M. Schuhmacher (М. Шухмахер), Journal of Vacuum Science & Technology B. 28, C1C48 (2010) ; doi:10.1116/1.3225588

    Chemical Erosion and Transport: Transport and Deposition of First Wall Impurities. Francesco Ghezzi (Франческо Гецци) (2009), CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE. TASK PWI-08-TA-06. 

    Long-term Reproducibility of Relative Sensitivity Factors Obtained with CAMECA Wf. D. Gui (Д. Гуй), ZX Xing (ЗЭкс Син), YH Huang (ЯХ Хуан), ZQ Mo (ЗКю Мо), YN Hua (ЯН Хуа), SP Zhao (СП Чжао), LZ Cha (ЛЗ Ча). Applied Surface Science, Volume 255, Issue 4, Pages 1427–1429 (2008)

    EXLE-SIMS: Dramatically Enhanced Accuracy for Dose Loss Metrology. W. Vandervorst (У. Вандерворст), R. Vos (Р. Вос), A. J. Salima (А. Дж. Салима), A. Merkulov (А. Меркулов), K. Nakajimac (К. Накаджимак) и K. Kimura (К. Кимура). Proceedings of the 17th International Conference on Ion Implentation Technology, IIT 2008, Monterey, CA, USA. AIP Conf. Proc. Vol. 1066 (2008), 109-112

    Semiconductor profiling with sub-nm resolution: challenges and solutions. W. Vandervorst (У. Вандерворст), App. Surf. Science 255 (2008) 805

    Roughness development in the depth profiling with 500eV O2 beam with the combination of oxygen flooding and sample rotation. D. Gui (Д. Гуй), Z. X. Xing (З. Экс. Син), Y. H. Huang (Я. Х. Хуан), Z. Q. Mo (З. Кю. Мо), Y. N. Hua (Я. Н. Хуа), S. P. Zhao (С. П. Чжао) и L. Z. Cha (Л. З. Ча), App. Surf. Science 255 (2008) 1433

    Depth profiling of ultra-thin oxynitride date dielectrics by using MCs2+ technique. D. Gui (Д. Гуй), Z. X. Xing (З. Экс. Син), Y. H. Huang (Я. Х. Хуан), Z. Q. Mo (З. Кю. Мо), Y. N. Hua (Я. Н. Хуа), S. P. Zhao (С. П. Чжао) и L. Z. Cha (Л. З. Ча) (2008), App. Surf. Science, Volume 255, Issue 4, Pages 1437-1439. doi:10.1016/j.apsusc.2008.06.047.

    Impurity measurement in silicon with D-SIMS and atom probe tomography. P. Ronsheim (П. Ронсхайм), App. Surf. Science 255 (2008) 1547. 

    SIMS depth profiling of boron ultra shallow junctions using oblique O2 beam down to 150eV. M. Juhel (М. Юхель), F. Laugier (Ф. Ложье), D. Delille (Д. Делиль), C. Wyon (К. Уайон), L. F. T. Kwakman (Л. Ф. Т. Квакман) и M. Hopstaken (М. Хопстакен), App. Surf. Science 252 (2006), 7211

    Boron ultra low energy SIMS depth profiling improved by rotating stage. M. Bersani (М. Берсани), D. Guibertoni (Д. Гибертони) и др., App. Surf. Science 252 (2006) 7315

    Comparison between SIMS and MEIS techniques for the characterization of ultra shallow arsenic implants. M. Bersani (М. Берсани), D. Guibertoni (Д. Гибертони) и др., App. Surf. Science 252 (2006) 7214

    SIMS Depth Profiling of SiGe:C structures in test pattern areas using low energy Cs with a Cameca Wf, M. Juhel (М. Юхель), F. Laugier (Ф. Ложье), App. Surf. Science 231-232 (2004) 698

    Sputtered depth scales of multi-layered samples with in situ laser interferometry: arsenic diffusion in Si/SiGe layers. P. A. Ronsheim (П. А. Ронсхайм), R. Loesing (Р. Лозинг) и A. Mada (А. Мада), App. Surf. Science 231-232 (2004) 762

    Short-term and long-term RSF repeatability for CAMECA SC Ultra SIMS measurements. M. Barozzi (М. Бароцци), D. Giubertoni (Д. Джубертони), M. Anderle (М. Андерле) и M. Bersani (М. Берсани). App. Surf. Science 231-232 (2004) 768-771

    Toward accurate in-depth profiling of As and P ultra-shallow implants by SIMS. A. Merkulov (А. Меркулов), E. de Chambost (Э. де Шамбост), M. Schuhmacher (М. Шухмахер) и P. Peres (П. Перес). Oral presentation at SIMS XIV, San Diego, USA, Sep. 2003. Applied Surface Science 231–232 (2004) 640–644

    Accurate on-line depth calibration with laser interferometer during SIMS profiling experiment on the CAMECA IMS Wf instrument. O. Merkulova (О. Меркулова), A. Merkulov (А. Меркулов), M. Schuhmacher (М. Шухмахер) и E. de Chambost (Э. де Шамбост). SIMS XIV, San Diego, USA, Sep. 2003. Applied Surface Science 231–232 (2004) 954–958

    Latest developments for the CAMECA ULE-SIMS instruments: IMS Wf and SC Ultra. E. de Chambost (Э. де Шамбост), A. Merkulov (А. Меркулов), P. Peres (П. Перес), B. Rasser (Б. Рассер), M. Schuhmacher (М. Шухмахер). Poster for SIMS XIV, San Diego, USA, Sept 2003. Applied Surface Science 231–232 (2004) 949–953

  • Некоторые из наших пользователей +

    Ниже представлена небольшая подборка пользователей IMS Wf и SC Ultra. Многие важные игроки в полупроводниковой промышленности желают сохранить конфиденциальность и не могут быть представлены здесь.

    ITC-irst (фонд Бруно Кесслера), divisione FSC, Италия
    Подразделение FSC во главе с Мариано Андерле (Mariano Anderle) разрабатывает и применяет новые методологии анализа поверхности на микроэлектронных устройствах и материалах последнего поколения. Оно вовлечено в долгосрочное сотрудничество с несколькими ведущими компаниями в области микроэлектроники. Шедевром Лаборатории материаловедения и анализов в области микроэлектроники под руководством Массимо Берсани (Massimo Bersani) является IMS SC Ultra CAMECA.

    CNT, Fraunhofer-Center Nanoelektronische Technologien, Дрезден, Германия
    Это государственно-частное партнерство Общества Фраунгофера (Fraunhofer Gesellschaft) и ведущих производителей полупроводников направлено на разработку новых технологических процессов для наноэлектроники. Учреждение оснащено самыми современными приборами для определения характеристик материалов, среди которых — IMS Wf CAMECA.

    Наука и анализ материалов (SAM), Люксембург
    SAM, подразделение Общественного исследовательского центра им. Габриэля Липпмана (Gabriel Lippmann), начало свою деятельность в 1992 году. Как фундаментальный и прикладной исследовательский центр, так и сервисная химико-аналитическая лаборатория, он оказывает помощь более чем 100 промышленным и академическим партнерам по всему миру. Центр оснащен SC Ultra и NanoSIMS 50 CAMECA.

  • Программное обеспечение +

    • WinCurve dataprocessing sofware
      WinCurve

      Разработанное специально для приборов ВИМС CAMECA, WinCurve предоставляет обширные возможности обработки и визуализации данных в простой в использовании среде.

      Продолжить чтение

    • WinImage Software
      WinImage II

      Разработанное специально для приборов ВИМС CAMECA, WinImage предоставляет обширные возможности визуализации, обработки и печати в среде ПК Windows.

      Продолжить чтение

    • APM Software
      APM

      Автоматическое измерение частиц (APM) – это программный прибор CAMECA, позволяющий выполнять быстрый скрининг, обнаружение и изотопный анализ миллионов частиц.

      Продолжить чтение

  • Комплекты для модернизации +

    Автоматизация и программное обеспечениеИсточникиШлюзовая камераКамера для образцов

    Автоматизация и программное обеспечение

    PC-Automation (Wf/SCU)
    Система PC-Automation заменяет систему SUN, обеспечивает полную автоматизацию и автоматическую работу, а также значительно улучшает удобство использования.
    Обратите внимание, что большинство перечисленных ниже комплектов для модернизации можно установить только на приборы IMS Wf и SC Ultra, оснащенные системой PC-Automation.

    Станция последующей обработки (Wf/SCU)
    Станция ПК для автономной обработки данных (программное обеспечение CAMECA не входит в комплект).

    Дублирование рабочего стола (Wf/SCU)
    Дополнительный ПК, клавиатура, клавиатура CAMECA, экраны... обеспечивают оптимизированный комфорт работы, когда лаборатория разделена на две части.

    Программное обеспечение WinCurve (Wf/SCU)
    Предлагает широкие возможности обработки и визуального отображения данных ВИМС вместе с удобными функциями создания отчетов.

    Программное обеспечение WinImage (Wf/SCU)
    Предлагает широкие функции обработки изображений ВИМС, доступные как в стандартной, так и в расширенной версии.

    Удаленное наблюдение
    (Wf/SCU)
    Лицензия на программное обеспечение для отображения данных в реальном времени Real Time Display обеспечивает удаленный доступ ко всем параметрам приборов, что позволяет оператору удаленно настраивать и включать прибор со своего ПК.

    Верх страницы

    Источники

    Низкоэнергетический источник ионов цезия (Wf/SCU)
    С этим новым источником ионов цезия высокой яркости IMS Wf/SCU теперь может выполнять профилирование по глубине с ультранизкой ударной энергией и анализировать ультратонкие слои с разрешением по глубине в несколько нанометров.

    ВЧ источник ионов кислорода плазмы высокой яркости (Wf/SCU)
    По сравнению с обычным DUO-плазмотроном ВЧ источник плазмы позволяет значительно улучшить рабочие характеристики, используя первичный пучок O2 со сверхнизкой энергией.

    Камера для образцов

    Моторизованный столик с перемещением по оси Z (Wf/SCU)
    Заменяет столик с пьезо-осью

    Турбо-обнаружение (Wf/SCU)
    Турбомолекулярный насос для замены существующего ионного насоса. Улучшает вакуум в системе обнаружения.

    Верх страницы