Skip to content

AKONIS

Полностью автоматизированный ВИМС для измерения состава в полупроводниковом производстве

Прибор AKONIS SIMS восполняет важные пробелы в процессах производства полупроводников, обеспечивая высокопроизводительное и высокоточное обнаружение профилей имплантированных ионов, определение состава и сбор пограничных данных непосредственно в линиях производства полупроводников. Прибор AKONIS имеет очень высокий уровень автоматизации, тем самым обеспечивая воспроизводимость измерений для различных инструментов контроля технологического процесса и сопоставления реакторов используемых в процессе.
  • AKONIS: Превосходство ВИМС теперь может использоваться в производстве полупроводников! +


    Дополняя приборы IMS Wf/SC Ultra и SIMS 4550 (квадрупольной ВИМС), используемые в лабораториях полупроводниковой промышленности, AKONIS благодаря своим возможностям полной автоматизации настройки и и подготовки результатов обеспечивает быстрый анализ непосредственно в производственных линиях без ущерба аналитической чувствительности. В приборе AKONIS используются новейшие достижения в области сверхнизкой энергии распыления (EXLIE), используя ультра низкую энергию
    (ULE) первичной ионной колонны (< 150 эВ), совмещенные с системой обработки 300мм пластин и системы позиционирования высокого разрешения, что позволяет выполнять измерения на подложках с минимальными латеральными размерами вплоть до 20 мкм.

    Высокая эффективность при измерении структур начиная от нода N5 (nm) и выше


    Визуализация состава с высоким разрешением и быстрое профилирование примесями по глубине многослойных структур SiGe и SiP
    Непревзойденные пределы обнаружения на подложках подложках с латеральным размером вплоть до 20 мкм
    Время отклика в технологической линии сокращено более чем на 97 %
    Измерение целых структурированных пластин и пластин с нанесенным слоем диэлектрика
    Механизм распознавания образa в сочетании с высокоразрешающей интерферометрической системой с точностью определения местоположения на исследуемом образце до 2 мкм
    Удобное создание последовательности анализа с использованием уникальной базы данных материаловедения
    Сертифицированные по SEMI (S2/S8, E4, E5, E39, E84...)
    Низкие эксплуатационные расходы
  • View Webinars +

    • Dynamic SIMS for Semiconductors

      четверг, сентября 16, 2021

      A review of a broad array of IC applications with Dynamic SIMS, from deep to ultra-shallow implant depth profiling in Si-based semiconductors to compositional analysis of thin multilayers in patterned wafer pads, optoelectronics, 2D and non-planar 3D structures. Speaker: Pawel Michałowski, expert-user of CAMECA SC Ultra SIMS at Łukasiewicz Research Network – Institute of Microelectronics and Photonics, Poland
      Duration : 20 minutes
  • Документация +

  • видео +