В соответствии с законом Мура структуры транзисторов продолжают уменьшаться в размерах, поэтому используемые в настоящее время методы анализа и метрологии вскоре не будут достаточными для полной характеристики наноразмерных устройств. Атомный зонд обладает уникальной способностью характеризовать технологические циклы следующего поколения, сопоставляя пространственное распределение и химическую идентичность добавок в атомном масштабе.
Изображение слева представляет трехмерную реконструкцию структурированной тестовой структуры полупроводника, проанализированную с помощью LEAP Si компании CAMECA; для сравнения представлено изображение ПЭМ эквивалентной структуры.
Поликремний осаждали на пластине монокристаллического кремния <100>, маскировали и протравливали до имплантации мышьяка.
Диэлектрик затвора расположен непосредственно под линией поликремния. Атомы мышьяка (пурпурные сферы) расположены с небольшим поперечным распределением сбоку от линии поликремния. Подзатворный оксид и естественный оксид обозначены синей поверхностью изоконцентрации кислорода. Морфология поверхности оксида показывает, что процесс имплантации привел к значительному смешиванию естественного оксида и кремниевой подложки.
Образцы предоставлены Intel Corporation.
Изображение TEM предоставлено Флоридским университетом.