Skip to content

Материалы для преобразования энергии и катализа (ВИМС)

SIMS depth profiling of Nitrogen doping in Cu2O
Оксид меди(I) (Cu2O), полупроводник p-типа, долгое время считался многообещающим материалом для низкозатратного преобразования солнечной энергии и фотокатализа. Важной темой для исследования является добавление азота в Cu2O из-за огромного потенциала азота в преодолении важного недостатка Cu2O – высокое сопротивление. Эффект добавления азота Cu2O является предметом научных споров, особенно в отсутствие комплексного понимания его действий.

В данном исследовании был проведен сравнительный анализ добавления азота в Cu2O. На профилях по глубине содержания азота в пленках Cu2O:N с азотной плазмой, полученных при помощи ВИМС, видно: (i) включение азота в пленки, (ii) его постепенная обратная диффузия во время отжига. Согласно результатам, для улучшения проводимости Cu2O:N необходимо увеличить уровень легирования и/или оптимизировать процесс отжига, чтобы сбалансировать процессы активации и обратной диффузии.

Прибор IMS 7f-Auto обеспечивает глубинное распределение микроэлементов (включая легкие элементы) с превосходной чувствительностью и высоким разрешением по глубине, не в ущерб высокой скорости проведения анализов. Данный прибор обычно используется для исследования процессов диффузии-сегрегации, данные о которых крайне важны для развития новейших полупроводниковых устройств.

Данные собраны при помощи IMS 7f в Университет Осло (Норвегия). Источник: Дж. Ли (J. Li) и соавт., «NATURE Scientific Reports», вып. 4, 7240 (2014 г.).