Оптимизированное легирование (Mg, Si, Zn и прочее) и сниженное включение примесей (H, C, O, металлы) необходимы для высокоэффективных светодиодных устройств. При помощи динамического ВИМС в течение пары минут можно зарегистрировать глубинные профили вплоть до нескольких микрон, где предел обнаружения варьируют от част./млн. до част./млрд. в зависимости от анализируемых образцов. Динамический ВИМС также обеспечивает высокое разрешение по глубине, которое широко применяется в имплантации в сверхмелких слоях. ВИМС от CAMECA крайне полезен при исследовании состава и определения характеристик элементного распределения примесей и добавок на различных слоях, что делает данное оборудование наилучшим выбором для управления разработкой и производством новейших светодиодных устройств.
Отслеживание легирования и структурного состава
Оборудование IMS 7f-Auto на базе магнитно-секторного масс-спектрометра имеет эталонную эффективность в отношении чувствительности, разрешения по глубине и по массе. Данные профилирования по глубине обычно получают как для матричных, так и легирующих элементов. Условия экспериментов выбирают таким образом, чтобы обеспечить наилучшие пределы обнаружения для легирующих добавок p- и n-типов, а также гарантировать оптимальную производительность и простоту использования.
Контроль примесей и анализ дефектов
В светодиодных соединениях нежелательное загрязнение H, C и O в дефектах кристаллической структуры GaN влияет на электрические свойства и изменяет расчетную длину волны излучения. Благодаря оптимизированному вакууму в камере для анализа и бомбардировке первичным пучком высокой интенсивности IMS 7f-Auto превосходит все прочие аналитические приборы, представленные на рынке и предназначенные для анализа легких элементов. Непревзойденные пределы обнаружения H, C, O.